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KBPC3508W

KBPC3508W GeneSiC Semiconductor

kbpc3508w.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
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Technische Details KBPC3508W GeneSiC Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A KBPC-W, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Square, KBPC-W, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBPC-W, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.

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KBPC3508W Hersteller : DC COMPONENTS kbpc3506t.pdf KBPC3508W-DC Square single phase diode bridge rectif.
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KBPC3508W Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. kbpc3506t.pdf 35A 800V корпус MB-25W
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KBPC3508W Hersteller : GeneSiC Semiconductor kbpc3506w.pdf Diode Rectifier Bridge Single 800V 35A 4-Pin Case KBPC-W
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KBPC3508W Hersteller : EIC Semiconductor kbpc3500w20-20kbpc3510w.pdf Diode Rectifier Bridge Single 800V 35A 4-Pin Case BR-50W
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KBPC3508W KBPC3508W Hersteller : GeneSiC Semiconductor kbpc3506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A KBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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