
KBU1006G Taiwan Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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1+ | 3.89 EUR |
10+ | 2.52 EUR |
100+ | 1.72 EUR |
500+ | 1.26 EUR |
1000+ | 1.18 EUR |
5000+ | 1.17 EUR |
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Technische Details KBU1006G Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBU, Packaging: Tray, Package / Case: 4-SIP, KBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 10 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Weitere Produktangebote KBU1006G nach Preis ab 1.42 EUR bis 4.38 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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KBU1006G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
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KBU1006-G | Hersteller : Comchip Technology |
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KBU1006-G | Hersteller : Comchip Technology |
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KBU1006G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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KBU1006G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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KBU1006G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
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KBU1006-G | Hersteller : Comchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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