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KBU1007G

KBU1007G Taiwan Semiconductor

kbu1001g20series_j2103.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 10A 4-Pin Case KBU
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Technische Details KBU1007G Taiwan Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBU, Packaging: Tray, Package / Case: 4-SIP, KBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 10 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KBU1007G KBU1007G Taiwan Semiconductor kbu1001g20series_j2103.pdf Diode Rectifier Bridge Single 1KV 10A 4-Pin Case KBU
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KBU1007G KBU1007G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1001G SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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KBU1007G KBU1007G Taiwan Semiconductor KBU1001G SERIES_J2103.pdf Bridge Rectifiers 10A, 1000V, Standard Bridge Rectifier
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Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBU
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Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
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Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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