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KBU1010-G

KBU1010-G Comchip Technology

20423847814269kbu10005-g20thru250109.20kbu1010-g20revb.pdf
Hersteller: Comchip Technology
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 10A 4-Pin Case KBU Box
auf Bestellung 4800 Stücke:
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800+4.11 EUR
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Technische Details KBU1010-G Comchip Technology

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBU, Packaging: Tray, Package / Case: 4-SIP, KBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 10 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KBU1010-G KBU1010-G Comchip Technology KBU10005-G Thru249891. KBU1010-G RevB.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
auf Bestellung 7328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.83 EUR
400+1.62 EUR
800+1.49 EUR
1200+1.43 EUR
2000+1.35 EUR
5200+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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KBU1010-G KBU1010-G Comchip Technology KBU10005-G Thru250244. KBU1010-G RevB.pdf Bridge Rectifiers KBU CELL 10A 1000V Rect. Bridge Diode
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.7 EUR
10+3.06 EUR
100+1.78 EUR
400+1.61 EUR
1200+1.47 EUR
4800+1.38 EUR
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Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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