KBU603G Taiwan Semiconductor
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Technische Details KBU603G Taiwan Semiconductor
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 6A; Ifsm: 175A, Case: KBU, Max. off-state voltage: 200V, Max. forward impulse current: 175A, Electrical mounting: THT, Version: flat, Features of semiconductor devices: glass passivated, Leads: round pin, Type of bridge rectifier: single-phase, Kind of package: in-tray, Load current: 6A, Max. forward voltage: 1.1V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote KBU603G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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KBU603G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 6A; Ifsm: 175A Case: KBU Max. off-state voltage: 200V Max. forward impulse current: 175A Electrical mounting: THT Version: flat Features of semiconductor devices: glass passivated Leads: round pin Type of bridge rectifier: single-phase Kind of package: in-tray Load current: 6A Max. forward voltage: 1.1V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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KBU603G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 6 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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KBU603G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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KBU603G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 6A; Ifsm: 175A Case: KBU Max. off-state voltage: 200V Max. forward impulse current: 175A Electrical mounting: THT Version: flat Features of semiconductor devices: glass passivated Leads: round pin Type of bridge rectifier: single-phase Kind of package: in-tray Load current: 6A Max. forward voltage: 1.1V |
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