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KBU605G

KBU605G Taiwan Semiconductor Corporation

KBU601G SERIES_J2103.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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Technische Details KBU605G Taiwan Semiconductor Corporation

Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 6A; Ifsm: 175A, Case: KBU, Leads: round pin, Load current: 6A, Version: flat, Max. off-state voltage: 0.6kV, Max. forward impulse current: 175A, Type of bridge rectifier: single-phase, Kind of package: in-tray, Features of semiconductor devices: glass passivated, Electrical mounting: THT, Max. forward voltage: 1.1V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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KBU605G KBU605G Hersteller : Taiwan Semiconductor KBU601G SERIES_J2103.pdf Bridge Rectifiers 6A, 600V, Standard Bridge Rectifier
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KBU605G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF9C9F19CA38D880D6&compId=KBU607G_ser.pdf?ci_sign=f3c5d840a15f51e999e2e69aa348da9fba1d3e5d Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 6A; Ifsm: 175A
Case: KBU
Leads: round pin
Load current: 6A
Version: flat
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Kind of package: in-tray
Features of semiconductor devices: glass passivated
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 6A; Ifsm: 175A
Case: KBU
Leads: round pin
Load current: 6A
Version: flat
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Kind of package: in-tray
Features of semiconductor devices: glass passivated
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