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KBU807G

KBU807G Taiwan Semiconductor

KBU801G SERIES_J2103.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 8A, 1000V, Standard Bridge Rectifier
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Technische Details KBU807G Taiwan Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU, Packaging: Tray, Package / Case: 4-SIP, KBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 8 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

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KBU807G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR KBU801G SERIES_J2103.pdf KBU807G-TSC Flat single phase diode bridge rectif.
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KBU807G
Produktcode: 161500
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KBU807G Hersteller : Taiwan Semiconductor kbu801g_f12.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 8A 4-Pin Case KBU
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KBU807G KBU807G Hersteller : Taiwan Semiconductor kbu801g_f12.pdf Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin Case KBU Tray
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KBU807G KBU807G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation KBU801G SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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