KBU807G Taiwan Semiconductor
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Technische Details KBU807G Taiwan Semiconductor
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 200A; flat, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 8A, Max. forward impulse current: 200A, Version: flat, Case: KBU, Electrical mounting: THT, Leads: round pin, Kind of package: in-tray, Max. forward voltage: 1.1V, Features of semiconductor devices: glass passivated.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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KBU807G Produktcode: 161500
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 Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen |
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| KBU807G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 8A 4-Pin Case KBU |
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KBU807G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin Case KBU Tray |
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KBU807G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU Packaging: Tray Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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| KBU807G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 200A; flat Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 200A Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: round pin Kind of package: in-tray Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
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