KBU8K GeneSiC Semiconductor
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Technische Details KBU8K GeneSiC Semiconductor
Category: Flat single phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 175A, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 0.8kV, Load current: 8A, Max. forward impulse current: 175A, Version: flat, Case: KBU, Electrical mounting: THT, Leads: wire Ø 1.3mm, Kind of package: bulk, Max. forward voltage: 1.1V, Features of semiconductor devices: glass passivated, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote KBU8K nach Preis ab 0.54 EUR bis 3.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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KBU8K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KBU8K | Hersteller : DC COMPONENTS |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 175A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 175A Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: wire Ø 1.3mm Kind of package: bulk Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9962 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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KBU8K | Hersteller : DC COMPONENTS |
Category: Flat single phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 175A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 8A Max. forward impulse current: 175A Version: flat Case: KBU Electrical mounting: THT Leads: wire Ø 1.3mm Kind of package: bulk Max. forward voltage: 1.1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
auf Bestellung 9962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KBU8K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier |
auf Bestellung 29081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KBU8K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
auf Bestellung 1832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| KBU8K | Hersteller : PanJit |
Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 800; Ir = 8 А; If, A = 8; Uf, В = 1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; SIP-4 (KBU) |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KBU8K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KBU8K | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A Automotive 4-Pin Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KBU8K | Hersteller : EIC |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KBU8K | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KBU8K | Hersteller : Good-Ark |
Diode Rectifier Bridge Single 800V 8A 4-Pin Case KBU |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KBU8K | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KBU8K | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A Automotive 4-Pin Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KBU8K | Hersteller : onsemi |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
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