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KSA1013YBU

KSA1013YBU ON Semiconductor

ksa1013-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details KSA1013YBU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSA1013YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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KSA1013YBU KSA1013YBU Hersteller : ON Semiconductor ksa1013-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92 Bag
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KSA1013YBU KSA1013YBU Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2C85C958BC0D6&compId=KSA1013.pdf?ci_sign=968b2ce82f54e8c3a38bd69a93b11daee181d8e6 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Frequency: 50MHz
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Case: TO92
Type of transistor: PNP
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 160...320
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Frequency: 50MHz
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Case: TO92
Type of transistor: PNP
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 160...320
Polarisation: bipolar
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KSA1013YBU KSA1013YBU Hersteller : onsemi ksa1013-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
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KSA1013YBU KSA1013YBU Hersteller : onsemi / Fairchild KSA1013-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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KSA1013YBU KSA1013YBU Hersteller : ONSEMI ksa1013-d.pdf Description: ONSEMI - KSA1013YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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