KSA1013YBU ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.9W
Collector current: 1A
Current gain: 160...320
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Type of transistor: PNP
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 97+ | 0.74 EUR |
| 125+ | 0.57 EUR |
| 145+ | 0.49 EUR |
| 242+ | 0.3 EUR |
| 500+ | 0.23 EUR |
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Technische Details KSA1013YBU ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1013YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote KSA1013YBU nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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KSA1013YBU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
auf Bestellung 1847 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSA1013YBU | onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
auf Bestellung 3735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSA1013YBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA1013YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSA1013YBU |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.14 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.45 EUR |
| KSA1013YBU |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 1.14 EUR |
| 25+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 2000+ | 0.28 EUR |
| KSA1013YBU |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1013YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - KSA1013YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)