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KSA1013YTA

KSA1013YTA ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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Technische Details KSA1013YTA ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 900 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KSA1013YTA KSA1013YTA ON Semiconductor ksa1013-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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KSA1013YTA KSA1013YTA onsemi ksa1013-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
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KSA1013YTA KSA1013YTA ONSEMI KSA1013.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 160...320
Kind of package: Ammo Pack
Case: TO92 Formed
Frequency: 50MHz
Collector current: 1A
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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KSA1013YTA KSA1013YTA onsemi ksa1013-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
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10+0.82 EUR
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KSA1013YTA KSA1013YTA onsemi ksa1013-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 1815 Stücke:
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26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
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KSA1013YTA
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 160...320
Kind of package: Ammo Pack
Case: TO92 Formed
Frequency: 50MHz
Collector current: 1A
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100+0.86 EUR
158+0.54 EUR
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235+0.36 EUR
277+0.31 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
auf Bestellung 13601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.32 EUR
10+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.31 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 1815 Stücke:
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16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
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