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KSA1013YTA

KSA1013YTA ON Semiconductor

ksa1013-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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Technische Details KSA1013YTA ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 900 mW.

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KSA1013YTA KSA1013YTA Hersteller : ON Semiconductor ksa1013-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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KSA1013YTA KSA1013YTA Hersteller : ONSEMI KSA1013.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
112+0.64 EUR
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265+0.27 EUR
309+0.23 EUR
500+0.21 EUR
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KSA1013YTA KSA1013YTA Hersteller : ONSEMI KSA1013.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 50MHz
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KSA1013YTA KSA1013YTA Hersteller : onsemi KSA1013-D.PDF Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
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KSA1013YTA KSA1013YTA Hersteller : onsemi ksa1013-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 900 Stücke:
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17+1.06 EUR
27+0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 17
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Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
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