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KSA1156YS

KSA1156YS onsemi / Fairchild

KSA1156_D-2314638.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon
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Technische Details KSA1156YS onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KSA1156YS ONS/FAI ksa1156-d.pdf KSA1156YS PNP, Uкэ=400V, Iк=0.5A, 1Вт, h21=200, TO-126 Транзистори
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KSA1156YS KSA1156YS onsemi ksa1156-d.pdf Description: TRANS PNP 400V 0.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
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KSA1156YS KSA1156YS ONSEMI 2572455.pdf Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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KSA1156YS KSA1156YS ON Semiconductor ksa1156jp-d.pdf Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 400V 0.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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