Technische Details KSA1220AYS ONS/FAI
Description: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V, Frequency - Transition: 175MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 1.2 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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KSA1220AYS | onsemi |
 Description: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1.2 W |
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KSA1220AYS | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
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KSA1220AYS | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
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| KSA1220AYS | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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| KSA1220AYS |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
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| KSA1220AYS |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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| KSA1220AYS |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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| KSA1220AYS |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
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