Technische Details KSA1220AYS ONS/FAI
Description: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V, Frequency - Transition: 175MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 1.2 W.
Weitere Produktangebote KSA1220AYS
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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KSA1220AYS | onsemi |
 Description: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1.2 W |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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KSA1220AYS | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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KSA1220AYS | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSA1220AYS | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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KSA1220AYS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160 DC-Stromverstärkung hFE: 160 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.2 MSL: - Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 175 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSA1220AYS | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSA1220AYS |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
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| KSA1220AYS |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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| KSA1220AYS |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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| KSA1220AYS |
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Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
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| KSA1220AYS |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2
MSL: -
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2
MSL: -
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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| KSA1220AYS |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
Trans GP BJT PNP 120V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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