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Technische Details KSB596YTU onsemi
Description: ONSEMI - KSB596YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 120, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 30, Übergangsfrequenz ft: 3, Bauform - Transistor: TO-220, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 4, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote KSB596YTU nach Preis ab 1.15 EUR bis 2.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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KSB596YTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
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KSB596YTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB596YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 30 Übergangsfrequenz ft: 3 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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KSB596YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |