KSC2316YTA ON Semiconductor
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,9, Uceo, В = 120, Тип монт. = smd, ft, МГц = 120, hFE = 120 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
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Technische Details KSC2316YTA ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 900 mW.
Weitere Produktangebote KSC2316YTA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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KSC2316YTA | onsemi |
Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW |
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KSC2316YTA | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
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KSC2316YTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 Verlustleistung Pd: 900 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92L Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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KSC2316YTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 Verlustleistung Pd: 900 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92L Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| KSC2316YTA |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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| KSC2316YTA |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
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| KSC2316YTA |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| KSC2316YTA |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KSC2316YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 900
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92L
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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