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KSC2383OTA

KSC2383OTA ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
auf Bestellung 6728 Stücke:
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Anzahl Preis
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770+0.18 EUR
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Technische Details KSC2383OTA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSC2383OTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: TO-92L, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KSC2383OTA KSC2383OTA ON Semiconductor ksc2383-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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KSC2383OTA KSC2383OTA ON Semiconductor ksc2383-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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KSC2383OTA KSC2383OTA ON Semiconductor ksc2383-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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KSC2383OTA KSC2383OTA ONSEMI KSC2383.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1771 Stücke:
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136+0.53 EUR
163+0.44 EUR
190+0.38 EUR
285+0.25 EUR
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KSC2383OTA KSC2383OTA onsemi KSC2383-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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KSC2383OTA KSC2383OTA onsemi KSC2383-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
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17+1.04 EUR
28+0.65 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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KSC2383OTA KSC2383OTA ONSEMI 2304584.pdf Description: ONSEMI - KSC2383OTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 693 Stücke:
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KSC2383OTA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
auf Bestellung 6728 Stücke:
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Anzahl Preis
735+0.2 EUR
747+0.19 EUR
758+0.18 EUR
770+0.17 EUR
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2000+0.2 EUR
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2000+0.21 EUR
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2000+0.21 EUR
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10000+0.2 EUR
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2426+0.22 EUR
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2426+0.22 EUR
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KSC2383OTA
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...200
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1771 Stücke:
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Anzahl Preis
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163+0.44 EUR
190+0.38 EUR
285+0.25 EUR
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KSC2383OTA
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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10+0.64 EUR
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500+0.31 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
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Mindestbestellmenge: 17
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2383OTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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