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KSC2383YTA

KSC2383YTA ON Semiconductor

ksc2383-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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Technische Details KSC2383YTA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSC2383YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: TO-92L, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KSC2383YTA KSC2383YTA ON Semiconductor ksc2383-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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KSC2383YTA KSC2383YTA ON Semiconductor ksc2383-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
auf Bestellung 16000 Stücke:
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KSC2383YTA KSC2383YTA ON Semiconductor ksc2383-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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KSC2383YTA KSC2383YTA onsemi KSC2383-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2000+0.22 EUR
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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KSC2383YTA KSC2383YTA ON Semiconductor ksc2383-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
auf Bestellung 6000 Stücke:
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6000+0.21 EUR
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KSC2383YTA KSC2383YTA ONSEMI KSC2383.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.59 EUR
191+0.38 EUR
261+0.27 EUR
298+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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KSC2383YTA KSC2383YTA onsemi KSC2383-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
30+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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KSC2383YTA KSC2383YTA onsemi KSC2383-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
auf Bestellung 4549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.89 EUR
100+0.56 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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KSC2383YTA KSC2383YTA ONSEMI ONSM-S-A0013296899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC2383YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3528 Stücke:
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KSC2383YTA ON Semiconductor KSC2383-889452_ONS.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 200 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92L-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 7 Stücke:
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KSC2383YTA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
auf Bestellung 16000 Stücke:
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Anzahl Preis
2000+0.2 EUR
4000+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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Hersteller: ON Semiconductor
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Anzahl Preis
2000+0.2 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.22 EUR
4000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.25 EUR
4000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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KSC2383YTA
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92 Formed
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 3280 Stücke:
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Anzahl Preis
122+0.59 EUR
191+0.38 EUR
261+0.27 EUR
298+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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KSC2383YTA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.97 EUR
30+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
auf Bestellung 4549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.33 EUR
10+0.89 EUR
100+0.56 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2383YTA ONSM-S-A0013296899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSC2383YTA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2383YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 160, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 160 @ 200 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,9 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92L-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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