KSC2690AYSTU ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details KSC2690AYSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 155MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote KSC2690AYSTU nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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KSC2690AYSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1.2 W |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10027 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| KSC2690AYSTU | Hersteller : ONSEMI |
KSC2690AYSTU NPN THT transistors |
auf Bestellung 1457 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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KSC2690AYSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
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