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KSC2690AYSTU

KSC2690AYSTU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
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Technische Details KSC2690AYSTU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 155MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU onsemi ksc2690a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ONSEMI FAIRS18535-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU onsemi ksc2690a-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
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60+1.75 EUR
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KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ONSEMI KSC2690A.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 2.5A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 155MHz
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KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ON Semiconductor ksc2690a-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
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KSC2690AYSTU KSC2690AYSTU ON Semiconductor ksc2690a-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
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KSC2690AYSTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 2600 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
263+0.68 EUR
294+0.58 EUR
350+0.48 EUR
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KSC2690AYSTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
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KSC2690AYSTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+0.82 EUR
256+0.67 EUR
324+0.51 EUR
540+0.45 EUR
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KSC2690AYSTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 1300 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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500+0.94 EUR
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 3542 Stücke:
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2+1.98 EUR
10+1.43 EUR
100+1.06 EUR
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KSC2690AYSTU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2690AYSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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147+1.58 EUR
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KSC2690AYSTU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
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6+3.75 EUR
60+1.75 EUR
120+1.57 EUR
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1020+1.17 EUR
2040+1.08 EUR
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KSC2690AYSTU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 2.5A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 155MHz
auf Bestellung 1389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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KSC2690AYSTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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KSC2690AYSTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Tube
auf Bestellung 197 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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