KSC5042FTU
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Technische Details KSC5042FTU
Description: TRANS NPN 900V 0.1A TO-220F-3, Power - Max: 6 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: TO-220F-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 4mA, 20mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote KSC5042FTU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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KSC5042FTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 900V 0.1A TO-220F-3 Power - Max: 6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-220F-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 4mA, 20mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSC5042FTU | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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KSC5042FTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon |
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| KSC5042FTU |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 900V 0.1A TO-220F-3
Power - Max: 6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 4mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: TRANS NPN 900V 0.1A TO-220F-3
Power - Max: 6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 4mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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| KSC5042FTU |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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| KSC5042FTU |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
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