KSC5042FTU
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Technische Details KSC5042FTU
Description: TRANS NPN 900V 0.1A TO-220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 4mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-220F-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Power - Max: 6 W.
Weitere Produktangebote KSC5042FTU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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KSC5042FTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 900V 0.1A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 4mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Power - Max: 6 W |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSC5042FTU | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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KSC5042FTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon |
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| KSC5042FTU |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 900V 0.1A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 6 W
Description: TRANS NPN 900V 0.1A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220F-3
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| KSC5042FTU |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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| KSC5042FTU |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
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