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KSD1616ALBU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
KSD1616ALBU
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Technische Details KSD1616ALBU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 160MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 750 mW.

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KSD1616ALBU ONSEMI FAIRS25946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSD1616ALBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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rohsCompliant: Y-EX
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Description: ONSEMI - KSD1616ALBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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