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KSD1691YS

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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KSD1691YS KSD1691YS ON Semiconductor ksd1691-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Bag
auf Bestellung 33240 Stücke:
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KSD1691YS KSD1691YS onsemi ksd1691-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 4394 Stücke:
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17+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.53 EUR
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KSD1691YS KSD1691YS onsemi ksd1691-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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KSD1691YS
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
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