KSD1691YSTU ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1920+ | 0.37 EUR |
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Technische Details KSD1691YSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD1691YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote KSD1691YSTU nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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KSD1691YSTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSD1691YSTU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
auf Bestellung 1904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSD1691YSTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1691YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| KSD1691YSTU | Hersteller : Fairchild |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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KSD1691YSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSD1691YSTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KSD1691YSTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 20W; TO126ISO Pulsed collector current: 8A Type of transistor: NPN Collector current: 5A Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Current gain: 160...320 Collector-emitter voltage: 60V Case: TO126ISO Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KSD1691YSTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 20W; TO126ISO Pulsed collector current: 8A Type of transistor: NPN Collector current: 5A Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Current gain: 160...320 Collector-emitter voltage: 60V Case: TO126ISO Mounting: THT |
Produkt ist nicht verfügbar |