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KSD526Y

KSD526Y onsemi

ksd526-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
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Technische Details KSD526Y onsemi

Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 8MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 30 W.

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KSD526Y KSD526Y Hersteller : onsemi / Fairchild KSD526_D-2314534.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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KSD526Y Hersteller : ONSEMI FAIRS24023-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSD526Y - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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KSD526Y KSD526Y Hersteller : ON Semiconductor 3678430677147818ksd526.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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