KSD526YTU

KSD526YTU ON Semiconductor


ksd526-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details KSD526YTU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD526YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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KSD526YTU KSD526YTU Hersteller : onsemi / Fairchild KSD526_D-1810571.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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KSD526YTU KSD526YTU Hersteller : onsemi ksd526-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
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