KSD880YTU
Produktcode: 150371
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produktrezensionen
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 109007 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 109007 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSD880YTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSD880YTU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 30 W |
auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSD880YTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD880YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: KSD880 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSD880YTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KSD880YTU | Hersteller : ONS/FAI |
TO-220, NPN, Uce=60V, Ic=3A, Ucesat=0.4V, hfe1=100...200 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KSD880YTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Current gain: 100...200 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |