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KSD882-YSTU

KSD882-YSTU FSC

KSD882_D-2314831.pdf
Produktcode: 184924
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Hersteller: FSC
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 90 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 В
Kollektorstrom Ic, A: 3 А
Stromverstärkung h21: 150
Montage: THT
auf Bestellung: 160 St.
  • 160 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KSD882YSTU KSD882YSTU onsemi ksd882-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.45 EUR
100+1.39 EUR
1000+0.93 EUR
1920+0.79 EUR
5760+0.75 EUR
11520+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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KSD882YSTU KSD882YSTU ONSEMI ONSM-S-A0003584466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSD882YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
197+1.18 EUR
225+0.95 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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KSD882YSTU KSD882YSTU onsemi ksd882-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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KSD882YSTU ksd882-d.pdf
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KSD882YSTU
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.14 EUR
10+1.45 EUR
100+1.39 EUR
1000+0.93 EUR
1920+0.79 EUR
5760+0.75 EUR
11520+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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KSD882YSTU ONSM-S-A0003584466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSD882YSTU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD882YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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KSD882YSTU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
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Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
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2SB772
Produktcode: 24240
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2SB772
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 80 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 40 V
Strom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21, max: 400
auf Bestellung: 309 St.
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1+0.3 EUR
10+0.26 EUR
100+0.23 EUR
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D44H11G (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 26682
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D44H11G (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 20 А
Montage: THT
auf Bestellung: 50 St.
  • 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.79 EUR
10+0.64 EUR
100+0.56 EUR
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2SD882P (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31893
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2sd882.pdf
2SD882P (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Transitfrequenz fT: 80 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 3 A
Stromverstärkung h21: 400
Montage: THT
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 167 St.
  • 167 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.36 EUR
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100+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 100V X7R K(+/-10%) (R15W104K2AH5-L-Hitano)
Produktcode: 18267
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multilayer_ceramic_capacitorsepoxxyy.pdf
100nF 100V X7R K(+/-10%) (R15W104K2AH5-L-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 100 V
TKE (Dielektrikum): X7R
Toleranz: ±10% K
Rastermaß: 5,08 mm
Part Number: R15W104K2AH5-L
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 8550 St.
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AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH