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KSE13003H1ASTU

KSE13003H1ASTU onsemi

kse13003-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 20 W
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Technische Details KSE13003H1ASTU onsemi

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 20 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KSE13003H1ASTU On Semiconductor kse13003-d.pdf NPN, Uкэ=400V, Iк=1.5A, 4МГц, 20Вт, TO-126-3 Транзистори
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KSE13003H1ASTU KSE13003H1ASTU onsemi / Fairchild KSE13003_D-2314453.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
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NPN, Uкэ=400V, Iк=1.5A, 4МГц, 20Вт, TO-126-3 Транзистори
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KSE13003H1ASTU
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
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