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KSE13009TU

KSE13009TU ON Semiconductor

kse13008.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
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Technische Details KSE13009TU ON Semiconductor

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 4MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V, Current - Collector (Ic) (Max): 12A, Power - Max: 100W, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KSE13009TU KSE13009TU ON Semiconductor kse13008.pdf Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
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KSE13009TU ONSEMI FAIRS18934-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSE13009TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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KSE13009TU
Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE13009TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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