KSE13009TU ON Semiconductor
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Technische Details KSE13009TU ON Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 100W, Current - Collector (Ic) (Max): 12A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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KSE13009TU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
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| KSE13009TU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSE13009TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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KSE13009TU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSE13009TU | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100W Current - Collector (Ic) (Max): 12A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KSE13009TU | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSE13009TU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |