KSE44H11TU

KSE44H11TU ON Semiconductor / Fairchild


KSE44H-1306651.pdf Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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Technische Details KSE44H11TU ON Semiconductor / Fairchild

Description: TRANS NPN 80V 10A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.67 W.

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KSE44H11TU Hersteller : ON-Semicoductor KSE44H.pdf Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; KSE44H11TU TD44H11
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KSE44H11TU KSE44H11TU Hersteller : ON Semiconductor 3663368099718676kse44h.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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KSE44H11TU KSE44H11TU Hersteller : onsemi KSE44H.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.67 W
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