Technische Details KSP06BU onsemi / Fairchild
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 625 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
,TO-226_straightlead.jpg "KSP06BU") |
KSP06BU | onsemi |
 Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSP06BU | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| KSP06BU | ON Semiconductor |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSIST |
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSP06BU |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
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| KSP06BU |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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| KSP06BU |
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Hersteller: ON Semiconductor
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSIST
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