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KSP42TA

KSP42TA ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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Technische Details KSP42TA ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 625 mW.

Weitere Produktangebote KSP42TA nach Preis ab 0.046 EUR bis 0.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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KSP42TA KSP42TA onsemi ksp43-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
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KSP42TA KSP42TA ON Semiconductor ksp43d.pdf Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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1266+0.11 EUR
1308+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.099 EUR
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KSP42TA KSP42TA onsemi ksp43-d.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
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KSP42TA KSP42TA onsemi ksp43-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSP42TA Fairchild/ON Semiconductor KSP42.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ Ic = 10 mA, Vce = 2 mA, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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1191+0.13 EUR
1227+0.12 EUR
1266+0.11 EUR
1308+0.11 EUR
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Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92-3
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Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
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Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 11482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ Ic = 10 mA, Vce = 2 mA, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 402 Stücke:
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