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KST10MTF

KST10MTF ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details KST10MTF ON Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Power - Max: 350mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Frequency - Transition: 650MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3.

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KST10MTF KST10MTF ON Semiconductor kst10-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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KST10MTF KST10MTF onsemi kst10-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 350mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
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KST10MTF KST10MTF onsemi kst10-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 350mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
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KST10MTF KST10MTF ONSEMI kst10-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 350mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 60
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
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Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 350mW
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Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 350mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
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Mounting: SMD
Case: SOT23
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Power dissipation: 0.35W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 60
Kind of package: reel; tape
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