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KST10MTF

KST10MTF onsemi

kst10-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Power - Max: 350mW
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Technische Details KST10MTF onsemi

Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SOT-23-3, Frequency - Transition: 650MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Power - Max: 350mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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KST10MTF KST10MTF ONSEMI kst10-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 350mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 60
Frequency: 650MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
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KST10MTF KST10MTF onsemi kst10-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KST10MTF KST10MTF onsemi kst10-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Power - Max: 350mW
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 350mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.35W
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 60
Frequency: 650MHz
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Polarisation: bipolar
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Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Power - Max: 350mW
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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