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KTR25JZPJ4R7 Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 4.7 OHM 5% 1/3W 1210
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Technische Details KTR25JZPJ4R7 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - KTR25JZPJ4R7 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 4.7 ohm, ± 5%, 330 mW, 1210 [Metrisch 3225], Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1210 [Metrisch 3225], Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand, Qualifikation: AEC-Q200, Widerstandstyp: Hochspannung, Nennleistung: 330, Widerstand: 4.7, Betriebstemperatur, min.: -55, Widerstandstoleranz: ± 5%, Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C, Produktlänge: 3.2, Produktpalette: KTR Series, Nennspannung: 600, Betriebstemperatur, max.: 155, Produktbreite: 2.5, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KTR25JZPJ4R7 KTR25JZPJ4R7 ROHM 3748846.pdf Description: ROHM - KTR25JZPJ4R7 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 4.7 ohm, ± 5%, 330 mW, 1210 [Metrisch 3225]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1210 [Metrisch 3225]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochspannung
Nennleistung: 330
Widerstand: 4.7
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 2.5
SVHC: To Be Advised
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KTR25JZPJ4R7 3748846.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - KTR25JZPJ4R7 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 4.7 ohm, ± 5%, 330 mW, 1210 [Metrisch 3225]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1210 [Metrisch 3225]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochspannung
Nennleistung: 330
Widerstand: 4.7
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 2.5
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