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L1210R2R2MDWIT

L1210R2R2MDWIT Kemet

kem_l9015_l-dwi.pdf Hersteller: Kemet
Inductor RF Chip Wirewound 2.2uH 20% 100KHz 1.13A 0.104Ohm DCR 1210 T/R
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Technische Details L1210R2R2MDWIT Kemet

Description: KEMET - L1210R2R2MDWIT - Drahtgewickelte Induktivität, 2.2 µH, 0.104 ohm, 190 MHz, 1.13 A, L-DWI Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 2.5mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 2.2µH, Bauart der Induktivität: Ungeschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.104ohm, Eigenresonanzfrequenz: 190MHz, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Ferrit, DC-Nennstrom: 1.13A, Produktlänge: 3.2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: L-DWI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2.5mm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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L1210R2R2MDWIT L1210R2R2MDWIT Hersteller : Kemet kem_l9015_l-dwi.pdf Inductor RF Chip Wirewound 2.2uH 20% 100KHz 1.13A 0.104Ohm DCR 1210 T/R
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L1210R2R2MDWIT L1210R2R2MDWIT Hersteller : Kemet kem_l9015_l-dwi.pdf Inductor RF Chip Wirewound 2.2uH 20% 100KHz 1.13A 0.104Ohm DCR 1210 T/R
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L1210R2R2MDWIT L1210R2R2MDWIT Hersteller : KEMET L1210R2R2MDWIT Description: FIXED IND 2.2UH 2A 80 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm
Frequency - Self Resonant: 190MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.106" (2.70mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 2 A
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L1210R2R2MDWIT L1210R2R2MDWIT Hersteller : KEMET KEM_L9015_L_DWI-1894114.pdf Power Inductors - SMD 2.2uH 20%
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L1210R2R2MDWIT L1210R2R2MDWIT Hersteller : KEMET L1210R2R2MDWIT Description: KEMET - L1210R2R2MDWIT - Drahtgewickelte Induktivität, 2.2 µH, 0.104 ohm, 190 MHz, 1.13 A, L-DWI Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 2.5mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 2.2µH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.104ohm
Eigenresonanzfrequenz: 190MHz
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 1.13A
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: L-DWI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2.5mm
auf Bestellung 3130 Stücke:
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L1210R2R2MDWIT L1210R2R2MDWIT Hersteller : Kemet kem_l9015_l-dwi.pdf Inductor RF Chip Wirewound 2.2uH 20% 100KHz 1.13A 0.104Ohm DCR 1210 T/R
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L1210R2R2MDWIT L1210R2R2MDWIT Hersteller : KEMET L1210R2R2MDWIT Description: KEMET - L1210R2R2MDWIT - Drahtgewickelte Induktivität, 2.2 µH, 0.104 ohm, 190 MHz, 1.13 A, L-DWI Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 2.5mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 2.2µH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.104ohm
Eigenresonanzfrequenz: 190MHz
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 1.13A
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: L-DWI Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2.5mm
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L1210R2R2MDWIT L1210R2R2MDWIT Hersteller : KEMET kem_l9015_l-dwi.pdf Inductor RF Chip Wirewound 2.2uH 20% 100KHz 1.13A 0.104Ohm DCR 1210 T/R
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L1210R2R2MDWIT L1210R2R2MDWIT Hersteller : KEMET L1210R2R2MDWIT Description: FIXED IND 2.2UH 2A 80 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 80mOhm
Frequency - Self Resonant: 190MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.106" (2.70mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 2.2 µH
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