L1210R2R2MDWIT Kemet
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Technische Details L1210R2R2MDWIT Kemet
Description: KEMET - L1210R2R2MDWIT - Drahtgewickelte Induktivität, 2.2 µH, 0.104 ohm, 190 MHz, 1.13 A, L-DWI Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 2.5mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 2.2µH, Bauart der Induktivität: Ungeschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.104ohm, Eigenresonanzfrequenz: 190MHz, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Ferrit, DC-Nennstrom: 1.13A, Produktlänge: 3.2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: L-DWI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2.5mm.
Weitere Produktangebote L1210R2R2MDWIT nach Preis ab 0.3 EUR bis 0.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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L1210R2R2MDWIT | Hersteller : Kemet |
 Inductor RF Chip Wirewound 2.2uH 20% 100KHz 1.13A 0.104Ohm DCR 1210 T/R |
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L1210R2R2MDWIT | Hersteller : Kemet |
Inductor RF Chip Wirewound 2.2uH 20% 100KHz 1.13A 0.104Ohm DCR 1210 T/R |
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L1210R2R2MDWIT | Hersteller : KEMET |
Description: FIXED IND 2.2UH 2A 80 MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 80mOhm Frequency - Self Resonant: 190MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.106" (2.70mm) Part Status: Obsolete Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 2 A |
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L1210R2R2MDWIT | Hersteller : KEMET |
Power Inductors - SMD 2.2uH 20% |
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L1210R2R2MDWIT | Hersteller : KEMET |
Description: KEMET - L1210R2R2MDWIT - Drahtgewickelte Induktivität, 2.2 µH, 0.104 ohm, 190 MHz, 1.13 A, L-DWI Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 2.5mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Ungeschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.104ohm Eigenresonanzfrequenz: 190MHz usEccn: EAR99 Kernmaterial: Ferrit DC-Nennstrom: 1.13A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: L-DWI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2.5mm |
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L1210R2R2MDWIT | Hersteller : Kemet |
Inductor RF Chip Wirewound 2.2uH 20% 100KHz 1.13A 0.104Ohm DCR 1210 T/R |
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L1210R2R2MDWIT | Hersteller : KEMET |
Description: KEMET - L1210R2R2MDWIT - Drahtgewickelte Induktivität, 2.2 µH, 0.104 ohm, 190 MHz, 1.13 A, L-DWI Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 2.5mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Ungeschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.104ohm Eigenresonanzfrequenz: 190MHz usEccn: EAR99 Kernmaterial: Ferrit DC-Nennstrom: 1.13A Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: L-DWI Series productTraceability: No Produktbreite: 2.5mm |
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L1210R2R2MDWIT | Hersteller : KEMET |
Inductor RF Chip Wirewound 2.2uH 20% 100KHz 1.13A 0.104Ohm DCR 1210 T/R |
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L1210R2R2MDWIT | Hersteller : KEMET |
Description: FIXED IND 2.2UH 2A 80 MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 1210 (3225 Metric) Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Unshielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 80mOhm Frequency - Self Resonant: 190MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 100 kHz Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.106" (2.70mm) Part Status: Obsolete Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 2 A |
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