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L1210R680KDWIT

L1210R680KDWIT KEMET

KEM_L9015_L_DWI-1894114.pdf Hersteller: KEMET
Power Inductors - SMD 1210 68uH 10% 320mA
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Technische Details L1210R680KDWIT KEMET

Description: KEMET - L1210R680KDWIT - Leistungsinduktivität (SMD), 68 µH, 410 mA, Geschirmt, 320 mA, L-DWI Series, 1210 [Metrisch 3225], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 2.5mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 68µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 10%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225], DC-Widerstand, max.: 1ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 1210 [Metrisch 3225], usEccn: EAR99, RMS-Strom Irms: 410mA, Sättigungsstrom (Isat): 320mA, Produktlänge: 3.2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: L-DWI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2.5mm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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L1210R680KDWIT L1210R680KDWIT Hersteller : KEMET L1210R680KDWIT Description: KEMET - L1210R680KDWIT - Leistungsinduktivität (SMD), 68 µH, 410 mA, Geschirmt, 320 mA, L-DWI Series, 1210 [Metrisch 3225]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 2.5mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 68µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 10%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225]
DC-Widerstand, max.: 1ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 1210 [Metrisch 3225]
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 410mA
Sättigungsstrom (Isat): 320mA
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: L-DWI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2.5mm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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L1210R680KDWIT L1210R680KDWIT Hersteller : KEMET L1210R680KDWIT Description: KEMET - L1210R680KDWIT - Leistungsinduktivität (SMD), 68 µH, 410 mA, Geschirmt, 320 mA, L-DWI Series, 1210 [Metrisch 3225]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 2.5mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 68µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 10%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225]
DC-Widerstand, max.: 1ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 410mA
Sättigungsstrom (Isat): 320mA
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: L-DWI Series
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L1210R680KDWIT Hersteller : KEMET kem_l9015_l-dwi.pdf Inductor RF Chip Wirewound 68uH 10% 100KHz 0.41A 1.3Ohm DCR 1210 T/R
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