L6387ED STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 400mA, 650mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 17V (Max)
Operating Temperature: -45°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 2.13 EUR |
| 12+ | 1.54 EUR |
| 25+ | 1.39 EUR |
| 100+ | 1.23 EUR |
| 300+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
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Technische Details L6387ED STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - L6387ED - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 5.5V-17V Versorgungsspannung, 650mAout, 105ns, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 650mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -45°C, Quellstrom: 400mA, Versorgungsspannung, min.: 5.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: 110ns, Ausgabeverzögerung: 105ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote L6387ED nach Preis ab 2.09 EUR bis 5.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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L6387ED | Hersteller : STMicroelectronics |
Gate Drivers HV H-Bridge driver |
auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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L6387ED | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - L6387ED - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 5.5V-17V Versorgungsspannung, 650mAout, 105ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 650mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -45°C Quellstrom: 400mA Versorgungsspannung, min.: 5.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| L6387ED | Hersteller : ST |
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Interlock; Half-Bridge; Vmax 600V; Io+/Io- 400mA/650mA; tON/OFF 110/105ns; 17V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: L6387ED013TR; L6387ED UIL6387ed Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| L6387ED | Hersteller : STMicroelectronics |
Драйвер MOSFET, Тип вх. сигн. = інвертуючий, I = 400 мА, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 незалежних драйвери типу IGBT і N, Тексп, °C = -45...+125, I2 = 650 мА,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
verfügbar 20 Stücke: |