L6387ED STMicroelectronics
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Technische Details L6387ED STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - L6387ED - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 5.5V-17V Versorgungsspannung, 650mAout, 105ns, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 650mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -45°C, Quellstrom: 400mA, Versorgungsspannung, min.: 5.5V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: 110ns, Ausgabeverzögerung: 105ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote L6387ED nach Preis ab 2.21 EUR bis 6.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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L6387ED | STMicroelectronics |
 Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube |
auf Bestellung 1255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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L6387ED | STMicroelectronics |
Gate Drivers HV H-Bridge driver |
auf Bestellung 1333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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L6387ED | STMicroelectronics |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -45°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 17V (Max) Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 400mA, 650mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 3554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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L6387ED | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - L6387ED - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 5.5V-17V Versorgungsspannung, 650mAout, 105ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 650mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -45°C Quellstrom: 400mA Versorgungsspannung, min.: 5.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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L6387ED | STMicroelectronics |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; push-pull; SO8; 0.4A; 580V; Ch: 2; 400kHz; Usup: 17V Type of integrated circuit: driver Topology: push-pull Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: 0.4A Output voltage: 580V Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Frequency: 400kHz Kind of package: tube Supply voltage: 17V |
auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| L6387ED | ST |
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Interlock; Half-Bridge; Vmax 600V; Io+/Io- 400mA/650mA; tON/OFF 110/105ns; 17V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: L6387ED013TR; L6387ED UIL6387ed Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| L6387ED | ST |
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Interlock; Half-Bridge; Vmax 600V; Io+/Io- 400mA/650mA; tON/OFF 110/105ns; 17V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: L6387ED013TR; L6387ED013TR UIL6387ed Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| L6387ED | STMicroelectronics |
Драйвер MOSFET, Тип вх. сигн. = інвертуючий, I = 400 мА, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 незалежних драйвери типу IGBT і N, Тексп, °C = -45...+125, I2 = 650 мА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
verfügbar 20 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| L6387ED |
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Hersteller: STMicroelectronics
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SO N Tube
auf Bestellung 1255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 81+ | 2.21 EUR |
| L6387ED |
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Hersteller: STMicroelectronics
Gate Drivers HV H-Bridge driver
Gate Drivers HV H-Bridge driver
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.19 EUR |
| 10+ | 3.88 EUR |
| 25+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 3.19 EUR |
| 250+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 1000+ | 2.76 EUR |
| L6387ED |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -45°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 17V (Max)
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 400mA, 650mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -45°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 17V (Max)
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 400mA, 650mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 3554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.74 EUR |
| 10+ | 4.28 EUR |
| 25+ | 3.93 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 300+ | 3.31 EUR |
| 500+ | 3.22 EUR |
| 1000+ | 3.14 EUR |
| 2500+ | 3.03 EUR |
| L6387ED |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - L6387ED - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 5.5V-17V Versorgungsspannung, 650mAout, 105ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 650mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Quellstrom: 400mA
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: STMICROELECTRONICS - L6387ED - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 5.5V-17V Versorgungsspannung, 650mAout, 105ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 650mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Quellstrom: 400mA
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 110ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.09 EUR |
| 55+ | 4.22 EUR |
| 61+ | 3.56 EUR |
| 64+ | 3.37 EUR |
| 100+ | 3.17 EUR |
| L6387ED |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; push-pull; SO8; 0.4A; 580V; Ch: 2; 400kHz; Usup: 17V
Type of integrated circuit: driver
Topology: push-pull
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: 0.4A
Output voltage: 580V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 400kHz
Kind of package: tube
Supply voltage: 17V
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; push-pull; SO8; 0.4A; 580V; Ch: 2; 400kHz; Usup: 17V
Type of integrated circuit: driver
Topology: push-pull
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: 0.4A
Output voltage: 580V
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 400kHz
Kind of package: tube
Supply voltage: 17V
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| L6387ED |
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Hersteller: ST
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Interlock; Half-Bridge; Vmax 600V; Io+/Io- 400mA/650mA; tON/OFF 110/105ns; 17V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: L6387ED013TR; L6387ED UIL6387ed
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Interlock; Half-Bridge; Vmax 600V; Io+/Io- 400mA/650mA; tON/OFF 110/105ns; 17V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: L6387ED013TR; L6387ED UIL6387ed
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 3.57 EUR |
| L6387ED |
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Hersteller: ST
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Interlock; Half-Bridge; Vmax 600V; Io+/Io- 400mA/650mA; tON/OFF 110/105ns; 17V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: L6387ED013TR; L6387ED013TR UIL6387ed
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Interlock; Half-Bridge; Vmax 600V; Io+/Io- 400mA/650mA; tON/OFF 110/105ns; 17V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: L6387ED013TR; L6387ED013TR UIL6387ed
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 3.57 EUR |
| L6387ED |
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Hersteller: STMicroelectronics
Драйвер MOSFET, Тип вх. сигн. = інвертуючий, I = 400 мА, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 незалежних драйвери типу IGBT і N, Тексп, °C = -45...+125, I2 = 650 мА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Драйвер MOSFET, Тип вх. сигн. = інвертуючий, I = 400 мА, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 незалежних драйвери типу IGBT і N, Тексп, °C = -45...+125, I2 = 650 мА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 20 Stücke: