Technische Details LET9045F STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - LET9045F - HF-FET-Transistor, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 9, Verlustleistung Pd: 108, Betriebsfrequenz, max.: 1, Betriebsfrequenz, min.: -, Verlustleistung: 108, Bauform - Transistor: M250, Bauform - HF-Transistor: M250, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Betriebstemperatur, max.: 200, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote LET9045F
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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LET9045F | STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V M250 Current - Test: 300 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 80 V Supplier Device Package: M250 Technology: LDMOS Gain: 17.7dB Power - Output: 59W Frequency: 960MHz Current Rating (Amps): 9A Package / Case: M250 Packaging: Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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LET9045F | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - LET9045F - HF-FET-Transistor, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 9 Verlustleistung Pd: 108 Betriebsfrequenz, max.: 1 Betriebsfrequenz, min.: - Verlustleistung: 108 Bauform - Transistor: M250 Bauform - HF-Transistor: M250 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| LET9045F |
Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 28V M250
Current - Test: 300 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 80 V
Supplier Device Package: M250
Technology: LDMOS
Gain: 17.7dB
Power - Output: 59W
Frequency: 960MHz
Current Rating (Amps): 9A
Package / Case: M250
Packaging: Tray
Description: RF MOSFET LDMOS 28V M250
Current - Test: 300 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 80 V
Supplier Device Package: M250
Technology: LDMOS
Gain: 17.7dB
Power - Output: 59W
Frequency: 960MHz
Current Rating (Amps): 9A
Package / Case: M250
Packaging: Tray
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
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| LET9045F |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - LET9045F - HF-FET-Transistor, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 9
Verlustleistung Pd: 108
Betriebsfrequenz, max.: 1
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 108
Bauform - Transistor: M250
Bauform - HF-Transistor: M250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - LET9045F - HF-FET-Transistor, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 9
Verlustleistung Pd: 108
Betriebsfrequenz, max.: 1
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 108
Bauform - Transistor: M250
Bauform - HF-Transistor: M250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH