LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11nC
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
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Technische Details LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23, Polarisation: unipolar, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.25W, Gate charge: 11nC, Drain current: 4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23, On-state resistance: 32mΩ.
Weitere Produktangebote LGE2300 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LGE2300 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
| LGE2300 |
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.12 EUR |

