LGE2300

LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 11259 Stücke:

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Anzahl Preis
1460+0.049 EUR
1620+0.044 EUR
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Technische Details LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23, Case: SOT23, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 11nC, On-state resistance: 32mΩ, Power dissipation: 1.25W, Drain current: 4A, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 20V, Anzahl je Verpackung: 20 Stücke.

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LGE2300 LGE2300 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987B0B074C54BB8BF&compId=LGE2300.pdf?ci_sign=005809a9bad6f5168753778b93aa2c3cc56bb0ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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LGE2300 Hersteller : LGE Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 3000
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