LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC


LGE2300.pdf
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 32mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 11nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Weitere Produktangebote LGE2300 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
LGE2300 LGE Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LGE2300
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH