LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC
Hersteller: LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1335+ | 0.054 EUR |
| 1615+ | 0.044 EUR |
| 1835+ | 0.039 EUR |
| 3000+ | 0.038 EUR |
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Technische Details LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.14Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote LGE2301 nach Preis ab 0.038 EUR bis 0.078 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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LGE2301 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| LGE2301 | Hersteller : LGE |
Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Substitute: LGE2301-LGE; LGE2301 TLGE2301 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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