LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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Technische Details LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: P-MOSFET, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3A, Gate charge: 12nC, On-state resistance: 0.14Ω, Power dissipation: 1W, Gate-source voltage: ±12V, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote LGE2301 nach Preis ab 0.08 EUR bis 0.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LGE2301 | Hersteller : LGE |
Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Substitute: LGE2301-LGE; LGE2301 TLGE2301 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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