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LGE2301

Name: LGE2301
Brand: LGE
SKU: 469147680-1
Price: 32.40 EUR
Availability: InStock

Hersteller: LGE
Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Substitute: LGE2301-LGE; LGE2301 TLGE2301
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Technische Details LGE2301 LGE

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.14Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	LGE2301	LUGUANG ELECTRONIC	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

LGE2301

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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