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LGE2302

LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 125 Stücke:
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Technische Details LGE2302 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 2.1A, Power dissipation: 0.35W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.115Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 10nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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LGE2302 LGE2302 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDA19A05D69CA0DC&compId=LGE2302-1.2W.pdf?ci_sign=578201d44831c4f87b5440f89dd6bf01199fb49d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
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LGE2302 Hersteller : LGE Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 LGE2302-LGE LGE2302 TLGE2302
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 400
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