LGE2304
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2304-LGE; LGE2304 TLGE2304
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Technische Details LGE2304 LGE
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 3.3A, Power dissipation: 0.35W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 75mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 6.7nC.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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LGE2304 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2304-LGE; LGE2304 TLGE2304 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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LGE2304 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.7nC |
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| LGE2304 |
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Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2304-LGE; LGE2304 TLGE2304
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2304-LGE; LGE2304 TLGE2304
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| LGE2304 |
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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.7nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.7nC
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