LGE2305

LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782 Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 5245 Stücke:

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Anzahl Preis
455+0.16 EUR
650+0.11 EUR
1080+0.066 EUR
1405+0.051 EUR
1485+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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Technische Details LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Case: SOT23, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -4.1A, Gate charge: 7.8nC, On-state resistance: 75mΩ, Power dissipation: 1.7W, Gate-source voltage: ±8V, Kind of package: reel; tape, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.

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LGE2305 LGE2305 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD91A737E6305CA0D3&compId=LGE2305v2.pdf?ci_sign=9225becc218ce5129eb9b6af9bf0ca76101ed782 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.7W
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Kind of package: reel; tape
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LGE2305 Hersteller : LGE Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2305-LGE; LGE2305 TLGE2305
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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