
LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl | Preis |
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30+ | 2.39 EUR |
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Technische Details LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -4.1A, Power dissipation: 1.7W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 75mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 7.8nC, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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LGE2305 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A Power dissipation: 1.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.8nC Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LGE2305 | Hersteller : LGE |
Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2305-LGE; LGE2305 TLGE2305 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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