LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 600+ | 0.14 EUR |
| 940+ | 0.09 EUR |
| 1045+ | 0.081 EUR |
| 1185+ | 0.071 EUR |
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Technische Details LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23, Mounting: SMD, Case: SOT23, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 31mΩ, Polarisation: unipolar, Drain current: 4.9A.
Weitere Produktangebote LGE2312 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LGE2312 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
| LGE2312 |
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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