LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Hersteller: LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Case: SOT23
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 560+ | 0.13 EUR |
| 880+ | 0.082 EUR |
| 960+ | 0.074 EUR |
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Technische Details LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.9A, Case: SOT23, On-state resistance: 31mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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LGE2312 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Case: SOT23 On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| LGE2312 | Hersteller : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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