
LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 40 Stücke:
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Anzahl | Preis |
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40+ | 1.79 EUR |
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Technische Details LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 31mΩ, Drain current: 4.9A, Drain-source voltage: 20V, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote LGE2312 nach Preis ab 0.057 EUR bis 1.79 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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LGE2312 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 31mΩ Drain current: 4.9A Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LGE2312 | Hersteller : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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