LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 605+ | 0.12 EUR |
| 965+ | 0.074 EUR |
| 1070+ | 0.067 EUR |
| 1210+ | 0.059 EUR |
| 3000+ | 0.056 EUR |
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Technische Details LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.9A, On-state resistance: 31mΩ, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote LGE2312 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LGE2312 | Hersteller : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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