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LGE2312

LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC

LGE2312.pdf
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Case: SOT23
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
590+0.14 EUR
935+0.092 EUR
1040+0.082 EUR
1175+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 590 Stücke
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Technische Details LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.9A, Case: SOT23, On-state resistance: 31mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
LGE2312 LGE Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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LGE2312
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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