LL4005G L0G Taiwan Semiconductor


LL4001G_SERIES_F2004-1918145.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 1A, 600V, Standard Recovery Rectifier
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Technische Details LL4005G L0G Taiwan Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A MELF, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: MELF, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AB, MELF, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
LL4005G L0G LL4005G L0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0010484979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - LL4005G L0G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
Bauform - Diode: MELF
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: LL400xG L0G
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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447+0.52 EUR
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885+0.24 EUR
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LL4005G L0G TWSC-S-A0010484979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - LL4005G L0G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
Bauform - Diode: MELF
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: LL400xG L0G
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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