LL4007G L0 Taiwan Semiconductor
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Technische Details LL4007G L0 Taiwan Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A MELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote LL4007G L0
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| LL4007G-L0 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Імпульсний діод SMD, Ur, В = 1 000, Iо, A = 1, Cj, пФ = 15, If, A = 30, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Діоди Корпус: MELF Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| LL4007G L0 | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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