
LL5817 L0G TAIWAN SEMICONDUCTOR

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; MELF plastic; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Max. off-state voltage: 20V
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: MELF plastic
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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179+ | 0.40 EUR |
285+ | 0.25 EUR |
302+ | 0.24 EUR |
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Technische Details LL5817 L0G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - LL5817 L0G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, MELF, 450 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: MELF, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 450mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: LL581x Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote LL5817 L0G nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.40 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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LL5817 L0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; MELF plastic; SMD; 20V; 1A; reel,tape Max. off-state voltage: 20V Max. forward voltage: 0.75V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 25A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: MELF plastic |
auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LL5817 L0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MELF Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 450mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: - Produktpalette: LL581x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 10208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LL5817 L0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MELF Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 450mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: - Produktpalette: LL581x Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 10208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LL5817 L0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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LL5817 L0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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LL5817 L0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V |
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LL5817 L0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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