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LM324DR2G

LM324DR2G ON

lm324-d.pdf
Produktcode: 31883
Hersteller: ON
Gehäuse: SOIC-14
Vc, V: 32 V
BW, MHz: 1 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,6 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 4
Монтаж: SMD
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Technische Details LM324DR2G ON

  • Operational Amplifier (Op-Amp) IC
  • No. of Amplifiers:4
  • Supply Voltage Min:3V
  • Supply Voltage Max:32V
  • No. of Pins:14
  • Operating Temperature Range:0`C to +70`C
  • Leaded Process Compatible:Yes
  • Package/Case:14-SOIC

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LM324DR2G LM324DR2G Hersteller : ON Semiconductor lm324-d.pdf Op Amp Quad GP ±16V/32V 14-Pin SOIC N T/R
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LM324DR2G LM324DR2G Hersteller : onsemi lm324-d.pdf Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Gain Bandwidth Product: 1 MHz
Current - Input Bias: 90 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 32 V
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LM324DR2G LM324DR2G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC96811E1D0381E0CE&compId=LM224_LM324_LM2902.PDF?ci_sign=e41386ba6996791a29284c647fbb4ebc6ac1f6f6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EBB6B995B3B6469&compId=LM324DR2G.PDF?ci_sign=9f556629205ce2dc349ce218ebcce972e31a07c4 Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.2MHz; Ch: 4; SO14; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC
Operating temperature: 0...70°C
Slew rate: 0.5V/μs
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Bandwidth: 1.2MHz
Case: SO14
Type of integrated circuit: operational amplifier
Number of channels: 4
Mounting: SMT
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LM324DR2G LM324DR2G Hersteller : onsemi CAA05C945DA5F2580339C81763AE0E381EC8ADC9045DD2830D50AB03A05B6785.pdf Operational Amplifiers - Op Amps 3-32V Quad 5mV VIO Commercial Temp
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10+0.3 EUR
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LM324DR2G LM324DR2G Hersteller : onsemi lm324-d.pdf Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Gain Bandwidth Product: 1 MHz
Current - Input Bias: 90 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 32 V
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LM324DR2G LM324DR2G Hersteller : ONSEMI 2236828.pdf Description: ONSEMI - LM324DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Niedriger Eingangsruhestrom
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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LM324DR2G LM324DR2G Hersteller : ON Semiconductor lm324-d.pdf Op Amp Quad GP ±16V/32V 14-Pin SOIC N T/R
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LM324DR2G Hersteller : ON-Semicoductor lm324-d.pdf Quad Op-Amp, GBW 1,3MHz; SR 0,4V/us; Voff 2mV; +/-1.5~+/-15V; 0°C~70°C; Substitute: LM324DR2G-ON; LM324DG; LM324D; LM324M; LM324NSR; LM324ANSR; LM324M-FAI; LM324DR2G-ON; LM324DR2G ONS WO324d ONS
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Beschreibung: Anzahl Kanale: 2; U-Strom, V: 2…36; tз, нс: 1.3; Typ-Ausgang: OK; Uсм, мV: 5; I-verbr., mA: 0,1;
Udss,V: 2...36 V
Id,A: 0.018 A
Bemerkung: 0...+70°C
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Vc, V: ±16 V
Vio, mV(Biasspannung): 3 mV
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 4
Монтаж: SMD
auf Bestellung 104 Stück:
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220uF 35V ECR 8x14mm (ECR221M35BA-Hitano)
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220uF 35V ECR 8x14mm (ECR221M35BA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 35V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14mm
Lebensdauer: 8х14mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 1656 Stück
90 Stück - stock Köln
1566 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet
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10+0.06 EUR
100+0.046 EUR
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BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745
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BD139 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 7 Stück
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.088 EUR
100+0.08 EUR
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