LM358NG TI
Produktcode: 34464
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: TI
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Vc, V: 32 V
Bandbreite BW, MHz: 0,1 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 2 mV
Anstiegsrate, V/µs: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
Anzahl Kanäle: 2
Montage: THT
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote LM358NG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| LM358NG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| LM358NG |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke: