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LP0701N3-G

LP0701N3-G Microchip Technology

lp070120b071513.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details LP0701N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LP0701N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16.5 V, 500 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16.5V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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LP0701N3-G LP0701N3-G Hersteller : Microchip Technology lp070120b071513.pdf Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
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LP0701N3-G LP0701N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY LP0701-P-Channel-Enhancement-Mode-Lateral-MOSFET-Data-Sheet-20005447A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16.5V; -500mA; Idm: -1.25A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16.5V
Drain current: -500mA
Case: TO92
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -1.25A
Power dissipation: 1W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LP0701N3-G LP0701N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY LP0701-P-Channel-Enhancement-Mode-Lateral-MOSFET-Data-Sheet-20005447A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16.5V; -500mA; Idm: -1.25A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16.5V
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Case: TO92
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LP0701N3-G LP0701N3-G Hersteller : Microchip Technology LP0701_P_Channel_Enhancement_Mode_Lateral_MOSFET_D-3443895.pdf MOSFETs 16.5V 1.5Ohm
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LP0701N3-G LP0701N3-G Hersteller : Microchip Technology LP0701-P-Channel-Enhancement-Mode-Lateral-MOSFET-Data-Sheet-20005447A.pdf Description: MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
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25+2.73 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16.5V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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