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LP0701N3-G

LP0701N3-G Microchip Technology

lp070120b071513.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 16.5V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details LP0701N3-G Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V.

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LP0701N3-G LP0701N3-G Hersteller : Microchip Technology LP0701-P-Channel-Enhancement-Mode-Lateral-MOSFET-Data-Sheet-20005447A.pdf Description: MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92
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Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Supplier Device Package: TO-92
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LP0701N3-G LP0701N3-G Hersteller : Microchip Technology supertex_lp0701-1181325.pdf MOSFET 16.5V 1.5Ohm
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LP0701N3-G LP0701N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY lp0701.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16.5V; -1.25A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16.5V
Pulsed drain current: -1.25A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LP0701N3-G LP0701N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY lp0701.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16.5V; -1.25A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Pulsed drain current: -1.25A
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LP0701N3-G LP0701N3-G Hersteller : MICROCHIP 2595634.pdf Description: MICROCHIP - LP0701N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16.5 V, 500 mA, 1.3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 16.5V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
auf Bestellung 643 Stücke:
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