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LQH44PN3R3MPRL

LQH44PN3R3MPRL Murata

lqh44pn3r3mpr.pdf
Hersteller: Murata
Inductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Ferrite 2A 0.066Ohm DCR 1515 T/R
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Technische Details LQH44PN3R3MPRL Murata

Description: MURATA - LQH44PN3R3MPRL - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 2 A, Halbgeschirmt, 2.3 A, LQH44PN_PR Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.65mm, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Induktivität: 3.3µH, Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.066ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 1515 [4040 Metric], isCanonical: Y, RMS-Strom Irms: 2A, Sättigungsstrom (Isat): 2.3A, Produktlänge: 4mm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Produktpalette: LQH44PN_PR Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Produktbreite: 4mm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
LQH44PN3R3MPRL LQH44PN3R3MPRL Murata Electronics JELF243A-0190.pdf RF Inductors - SMD 3.3 UH 20%
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LQH44PN3R3MPRL LQH44PN3R3MPRL MURATA 3768521.pdf Description: MURATA - LQH44PN3R3MPRL - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 2 A, Halbgeschirmt, 2.3 A, LQH44PN_PR Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.65mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.066ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 1515 [4040 Metric]
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 2A
Sättigungsstrom (Isat): 2.3A
Produktlänge: 4mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: LQH44PN_PR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 4mm
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Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.066ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 1515 [4040 Metric]
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RMS-Strom Irms: 2A
Sättigungsstrom (Isat): 2.3A
Produktlänge: 4mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: LQH44PN_PR Series
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Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Halbgeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.066ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 1515 [4040 Metric]
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: 2A
Sättigungsstrom (Isat): 2.3A
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