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LQW2UASR82F0CL

LQW2UASR82F0CL Murata

lqw2uasr82f0c.pdf
Hersteller: Murata
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 0.82uH 1% 25MHz 45Q-Factor Non Magnetic 0.4A 1.61Ohm DCR 1008 T/R
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Technische Details LQW2UASR82F0CL Murata

Description: MURATA - LQW2UASR82F0CL - Drahtgewickelte Induktivität, 820 nH, 1.61 ohm, 350 MHz, 400 mA, 1008 [Metrisch 2520], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.83mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 820nH, Bauart der Induktivität: Ungeschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 1%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 1.61ohm, Eigenresonanzfrequenz: 350MHz, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Ferrit, DC-Nennstrom: 400mA, Produktlänge: 2.62mm, euEccn: NLR, Produktpalette: LQW2UAS_0C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2.45mm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
LQW2UASR82F0CL LQW2UASR82F0CL Murata lqw2uasr82f0c.pdf Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 0.82uH 1% 25MHz 45Q-Factor Non Magnetic 0.4A 1.61Ohm DCR 1008 T/R
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LQW2UASR82F0CL LQW2UASR82F0CL MURATA 2851693.pdf Description: MURATA - LQW2UASR82F0CL - Drahtgewickelte Induktivität, 820 nH, 1.61 ohm, 350 MHz, 400 mA, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.83mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 820nH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 1%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 1.61ohm
Eigenresonanzfrequenz: 350MHz
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 400mA
Produktlänge: 2.62mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQW2UAS_0C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2.45mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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LQW2UASR82F0CL LQW2UASR82F0CL MURATA 2851693.pdf Description: MURATA - LQW2UASR82F0CL - Drahtgewickelte Induktivität, 820 nH, 1.61 ohm, 350 MHz, 400 mA, 1008 [Metrisch 2520]
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Induktivität: 820nH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 1%
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 1.61ohm
Eigenresonanzfrequenz: 350MHz
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 400mA
Produktlänge: 2.62mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LQW2UAS_0C Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2.45mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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LQW2UASR82F0CL
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rohsCompliant: YES
Induktivität: 820nH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 1%
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
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Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 400mA
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Produkthöhe: 1.83mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 820nH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 1%
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 1.61ohm
Eigenresonanzfrequenz: 350MHz
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Kernmaterial: Ferrit
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